1. 基底预处理

清洗基底：用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗，去除油脂和颗粒杂质，确保表面洁净。

氧化 / 钝化（如需）：在硅基底上通过热氧化生长二氧化硅（SiO₂）绝缘层，或通过溅射沉积氮化硅（Si₃N₄）作为绝缘层，厚度通常为几百纳米至微米级。

2. 光刻图形化

旋涂光刻胶：在基底表面均匀旋涂光刻胶（如正性光刻胶 SU-8 或负性光刻胶 AZ 系列），通过控制旋涂转速调整胶层厚度（如 1-10 μm）。

前烘：加热基底（如 90-120℃）使光刻胶固化，增强粘附力。

曝光：利用紫外光（UV）通过掩膜版对光刻胶进行选择性曝光。

关键设备：光刻机（如接触式光刻机、步进式光刻机，分辨率可达微米级；若需纳米级，需电子束光刻（EBL））。

显影与后烘：用显影液溶解曝光后的光刻胶，形成所需图形（如电极阵列的孔洞或线条），后烘固化图形边缘。

3. 薄膜沉积（电极材料制备）

通过物理或化学方法在基底表面沉积金属电极材料，常用方法：

溅射沉积：

在真空腔中，用高能离子束轰击金属靶材（如 Au、Pt），使原子沉积到基底表面，形成均匀金属薄膜（厚度通常为 100 nm-1 μm）。

优势：沉积速率快、薄膜附着力强，适合大面积均匀沉积。

电子束蒸发：

加热金属材料至蒸发，原子在真空环境中沉积到基底，适合高熔点金属（如 W、Mo）。

化学气相沉积（CVD）：

用于沉积导电薄膜（如石墨烯、碳纳米管），通过气体化学反应在基底表面生长导电材料，适用于柔性电极或纳米级结构。

4. 刻蚀或剥离（图形转移）

将光刻胶图形转移到金属薄膜上，形成电极阵列结构：

剥离工艺（Lift-off）：

若光刻胶图形为 “正性”（曝光区域被保留），金属会沉积在光刻胶和基底表面。

用有机溶剂（如丙酮）溶解光刻胶，未被光刻胶覆盖的金属被剥离，剩余部分形成电极图案。

优势：适合复杂图形和小尺寸电极（纳米级），避免刻蚀对基底的损伤。

刻蚀工艺：

若采用 “负性” 光刻胶（未曝光区域保留），用离子束刻蚀（如反应离子刻蚀 RIE）或湿法刻蚀去除未被光刻胶保护的金属薄膜，保留目标电极图形。

适用场景：金属薄膜较厚或需要高深宽比结构时。