光刻的本质是图形的光学复制与化学刻蚀转移，核心原理可拆解为以下步骤：

1. 光学成像：将掩膜图形投影到光刻胶

光源与掩膜版：

使用特定波长的光源（如紫外光 UV、深紫外光 DUV、极紫外光 EUV），通过光学系统（透镜或反射镜）将掩膜版（Mask，刻有目标图形的透明基板）上的图形投影到涂覆在衬底表面的 ** 光刻胶（光致抗蚀剂）** 上。

关键逻辑：掩膜版上的透光区域（图形区）允许光线通过，照射到光刻胶；不透光区域（非图形区）则阻挡光线。

光刻胶的光化学反应：

光刻胶分为正性胶和负性胶：

正性胶：曝光后化学结构改变，变得易溶于显影液，曝光区域在显影后被去除，最终图形与掩膜版一致。

负性胶：曝光后形成交联结构，难溶于显影液，未曝光区域被去除，最终图形与掩膜版互补。