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刻蚀技术（etching technique），是在半导体工艺，照模图形或设计要 求对半导体衬面或面覆盖膜进行选择性蚀或剥的技术。蚀技术不 仅是半导体件和成电路的基本制造工艺，而且还应用于膜电路、刷电路。

刻蚀还可分为湿蚀和干蚀。 蚀的机制，发生顺可分为「应物近面」、「面氧」、「面 应」、「生成物开面」等过程。整个蚀，应物近、生成物 开的扩散应，学应两。整个蚀的时间，等于是扩散学应 两费时间的总和。二者中者费时较长，整个蚀快慢也在该者， 故有谓「reaction limited」「diffusion limited」两类蚀分。