在后光学光刻的技术中，其主要且困难的技术就是掩模制造技术，其中1：1的光刻非常困难，是妨碍技术发展的难题之一。所以说，我们认为掩模开发是对于其应用于工业发展的重要环节，也是决定成败的关键。在过去的发展中，科学家对其已经得到了巨大的发展，也有一些新型材料的发现以及应用，有一些已经在实验室中得以实践，但对于工业发展还是没有什么重大的成就。

X射线掩模的基本结构包括薄膜、吸收体、框架、衬底，其中薄膜衬基材料一般使用Si、SiC、金刚石。吸收体主要使用金、钨等材料，

对于掩模的性能要求如下：

1. 要能够使X射线以及其他光线的有效透过，且保障其有足够的机械强度，光刻胶具有高的X射线的吸收性，且要足够厚。

2. 保障其高宽比的量，且其要有高度的分辨率以及反差。

3. 对于其掩模的尺寸要保障其精度，要没有缺陷或者缺陷较少。

对于衬基像Si3N4膜常常使用低压CVD，而常常使用蒸发溅射电镀等方法制造吸收体。为提高X射线掩模质量需要正确选择材料、优化工艺。

X射线光刻技术不仅拥有高分辨率，并且有高出产率的优点。通过目前对X射线光刻技术应用现状来看，要将投入量产，使其在大规模或超大规模IC电路的生产中发挥更重要的作用，突破高精度图形掩模技术难关已经如同箭在弦上。