光刻胶的选择是一个复杂的过程。主要的决定因素是晶圆表面对尺寸的要求。光刻BCM5325MA2KQMG胶首先须具有产生那些所要求尺寸的能力。除了这些，还须有在刻蚀过程中阻挡刻蚀的功能。在阻挡刻蚀的作用中，保持特定厚度的光刻胶层中不能存在针孔。另外，光刻胶须能和晶圆表面很好地黏结，否则刻蚀后的图形就会发生扭曲，就像是如果在印刷过程中蜡纸没有和表面贴紧的话，就会得到一个溅污的图形。以上那些，连同工艺纬度和阶梯覆盖能力，都是光刻胶性能的要素。在光刻胶的选择过程中，工艺师通常会在不同的性能因素中做出权衡。光刻胶是复杂化学工艺和设备系统的一部分，它们须一起工作来产生好的图形结果和可生产性，其设备须使厂商拥有可接受的购买成本。

   在光刻胶层能够产生的小图形或其间距通常被作为对光刻胶分辨率（resolution capability）的参考，，在晶圆上关键的器件和电路的尺寸( CD)是图形化工艺的目标。产生的图形或其间距越小，说明分辨率越高。一种特定光刻胶的分辨率，实际是指特工艺的分辨率，它包括曝光源和显影工艺。改变其他的工艺参数会改变光刻胶固有的分辨率。总体来说，越细的线宽需要越薄的光刻胶膜来产生。然而，光刻胶膜须要足够厚来实现阻挡刻蚀的功能，并且保证不能有针孔。光刻胶的选择是这两个目标的权衡。

   用深宽比( aspect  ratio)来衡量光刻胶与分辨率和光刻胶厚度

相关的特殊能力（见图8. 13）。深宽比是光刻胶厚度与图形开口尺寸的比值。随着业界要求更小的图形，图形密度和形状因子开始在光刻胶设计方面产生影响。对于一种给定的光刻胶，孤立图形、水接触孔和高密度图形的区域，由于反射效果和化学反应因素，整个曝光和显影都不同。从而，有专门用于这些情况而设计的光刻胶。

   正胶比负胶有更高的深宽比，也就是说，对于一个给定的图

形尺寸开n，正胶的光刻胶层可以更厚。由于正胶的聚合物分子

尺寸更小，所以它可以分解出更小的图形。其实这就有点像用更小的刷子来画一条更细的线。对于先进的高密度甚大规模集成电路，更合适选用正胶。