1光刻胶的灵敏度

灵敏度是指单位面积上入射的使光刻胶全部发生反应的min光能量（对紫外光刻胶而言）或min电荷量（对电子束光刻胶而言）。数值越小表明灵敏度越高，曝光所需的剂量相应越小，曝光过程越快。通常负胶的灵敏度要高于正胶。

灵敏度太低会影响产出效率，所以通常情况下希望光刻胶有较高得灵敏度；然而灵敏度太高会牺牲分辨率。

2光刻胶的分辨率

分辨率是指排除光刻设备影响，能在光刻胶上再现的min特征尺寸。光刻工艺中影响分辨率的因素有：能量源、曝光方式以及光刻胶本身（包括灵敏度、对比度、颗粒的大小、显影时的溶胀、电子散射等）。通常正胶的分辨率要高于负胶。

下面讨论一下分辨率与灵敏度的关系：

假设入射电子数为N，考虑随机因素，实际入射得电子数在N±。为保证出现min剂量时不少于需求剂量的90%，要求£10%，得Nmin=100。对于关键尺寸曝光区要满足：

其中，Wmin为特征尺寸，即分辨率。可见，随着灵敏度S增加，Wmin会逐渐增大，分辨就会变差。

(a)150 nm孤立线宽；(b)100nm孤立线条(c)50nm孤立线宽

3光刻胶的对比度

指光刻胶从曝光区到非曝光区过度的陡度。对比度越高的光刻胶，显影过程中其厚度变化的反差大、过渡区小、轮廓清晰、边壁陡直。通常正胶的对比度要高于负胶。

对比度定义为：

其中，D0为开始光化学反应所需要的min曝光剂量；D100为全部光刻胶被曝光所需要的曝光剂量。D0、D100的间距越小，光刻胶的对比度就越大，这样有助于得出清晰的图形轮廓和高的分辨率。一般光刻胶的对比度在0.9-2.0之间。对于亚微米图形，要求对比度大于1。

工程师在选择光刻胶时，一般会从以上的性能结果来进行评价，同时会兼顾现有的产品要求、设备能力及光刻胶成本等进行综合考虑。