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光刻胶材料的制备和基本要素

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光刻胶材料的制备和基本要素

发布日期:2017-12-14 作者: 点击:

光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一,特别是近年来大规模和很大规模集成电路的发展,更是大大帮助了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工业的,以后才用于电子工业。


光刻胶是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X 射线等光源的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。主要应用领域包括:半导体领域的集成电路和分立器件、平板显示、LED、以及倒扣封装、磁头及精密传感器等产品的制作过程。


早时期光刻胶是应用在印刷工业领域,到 20 世纪 20 年代才被逐渐用在印刷电路板领域,20 世纪 50 年代开始用于半导体工业领域。20 世纪 50 年代末,Eastman Kodak和 Shipley 公司分别设计出适合半导体工业需要的正胶和负胶。

曝光系统

伴随着新一代曝光技术(NGL)的研究与发展,为了很好的满足其所能实现光刻分辨率的同时,光刻胶也相应发展。先进曝光技术对光刻胶的性能要求也越来越高。

③光刻胶的铺展

如何使光刻胶均匀地,按理想厚度铺展在器件表面,实现工业效化生产。

④光刻胶的材料

从光刻胶的材料考虑进行改善。

光刻胶的材料

本文网址:http://www.micro-graph.com.cn/news/369.html

关键词:光刻胶,光刻胶的材料,光刻

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