光刻加工可按能量源、工艺特点等维度分类，主流技术类型及核心特性如下，兼顾分类逻辑与实际应用场景，确保与前文技术内容衔接流畅：

一、按光源 / 能量源分类（核心主流分类）

深紫外光刻（DUVL）

以深紫外光为能量源，核心波长为 193nm（ArF 准分子激光），搭配浸没式技术（曝光介质为水）和多重曝光工艺，可实现 14nm 节点量产。设备成熟、成本可控，是当前存储芯片、中低端逻辑芯片制造的主流技术，兼顾精度与量产效率。

极紫外光刻（EUVL）

采用 13.5nm 波长的极紫外光，分辨率远超 DUVL，无需复杂多重曝光即可实现 7nm 及以下先进工艺节点。作为高端芯片制造核心技术，广泛应用于台积电、三星 3nm/2nm 制程，但设备结构复杂（含 10 万 + 精密部件）、造价高昂（超 2 亿美元），光源功率和光刻胶性能仍需优化。

电子束光刻（EBL）

以电子束为能量源，分辨率可达亚 5nm 级，无需掩膜版，图案灵活性极强。适合实验室研发、特殊定制器件制造，但电子束扫描效率低，难以满足大规模量产需求，多作为高端技术研发的核心手段。

二、按工艺方式分类

紫外压印光刻（UV-NIL）

室温下通过紫外光固化液态光刻胶，将模板图案转移至基板，成本低、量产效率高，残余层厚度可控制在 2-5nm。已应用于 AR/VR 光学元件、存储芯片纳米光栅制造，在特定场景可替代传统光刻降低成本。

接触 / 接近式光刻

早期主流工艺，接触式通过掩膜与光刻胶直接接触曝光，结构简单但易损坏掩膜、分辨率有限；接近式让掩膜与光刻胶保持微小间隙，减少掩膜损伤，但分辨率进一步受限，目前仅用于低端精密器件加工。

步进式光刻

通过光学系统逐次将掩膜图案曝光到基板上，大幅提升分辨率与图案均匀性，是近现代光刻技术的重要突破，为 DUVL、EUVL 的量产应用奠定了设备基础。