紫外压印光刻（UV-NIL）作为纳米压印光刻的主流技术路线，核心优势在于平衡精度与成本，同时存在接触式工艺固有的局限性，具体优缺点如下，贴合技术原理与实际应用场景，与前文光刻技术体系衔接流畅：

一、核心优点

成本与能耗优势显著：无需复杂光学系统和极紫外光源，设备结构简单、造价远低于 EUV 光刻机，功率仅 100-200 千瓦，仅为 EUV 的 1/10，可降低 40% 制造成本和 90% 电费，模板可重复复用，进一步压缩量产成本。

工艺效率与兼容性强：室温操作无需升降温流程，紫外光固化仅需几秒即可完成，支持步进式操作，能快速处理 8 英寸、12 英寸晶圆，吞吐量优于热压印，且适配丙烯酸酯基等多种光敏聚合物压印胶，残余层厚度可控制在 2-5nm。

分辨率突破光学壁垒：精度仅取决于模板质量，不受光源波长、数值孔径等光学限制，理论分辨率可逼近 5nm 级，通过低分子量光敏材料、精细模板设计优化，能实现小于 10nm 线宽，可匹配部分先进制程需求。

应用场景适配性广：工艺简单且对基材兼容性好，已广泛用于 AR/VR 光学波导光栅、3D NAND 存储芯片、微透镜阵列等场景，尤其适合对成本敏感、多层套刻精度要求不极端的领域。

二、主要缺点

缺陷率控制难度大：接触式工艺易引入粒子污染、模板磨损，且室温固化无加热环节，气泡控制难度更高，压印不均匀问题可能影响图案保真度，对无尘环境要求严苛。

套刻精度不足：多层图案叠加时对齐精度有限，主流量产设备对准精度约 50nm，远低于 EUV 光刻机的 1nm 级别，难以满足 3nm/2nm 等先进逻辑芯片的多层叠加需求。

生产效率仍有差距：虽优于热压印，但相较 EUV 光刻机仍显不足，佳能等厂商设备每小时吞吐量约 80 片，低于 ASML EUV 设备 175-220 片的水平，大规模量产适配性受限。

模板与材料依赖度高：高精度模板需通过电子束光刻制作，制造难度大、成本高；光敏聚合物的分子量、固化收缩率会影响图案精度，材料性能优化存在瓶颈。