光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。广泛应用于集成电路(IC)，封装(Packaging)，微机电系统(MEMS)，光电子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics)，平板显示器(LED,LCD,OLED)，太阳能光伏(Solar PV)等领域。

光刻胶类型：

1.紫外光刻胶（Photoresist）

各种工艺：喷涂专用胶，化学放大胶，lift-off胶，图形反转胶，高分辨率胶，LIGA用胶等。

各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。

各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。

2. 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）（E-beam resist）

电子束正胶：PMMA胶，PMMA/MA聚合物， LIGA用胶等。

电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高灵敏度电子束胶）等。

3. 特殊工艺用光刻胶（Special manufacture/experimental sample）

电子束曝光导电胶，耐酸碱保护胶，全息光刻用胶，聚酰亚胺胶（耐高温保护胶）等特殊工艺用胶。

4. 配套试剂（Process chemicals）

显影液、除胶剂、稀释剂、增附剂（粘附剂）、定影液等。