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纳米压印技术的基本原理和工艺 近十年间，各种创新的 NIL 工艺的研究陆续开展，其实验结果越来越令人满意， 目前大概可以归纳出四种代表技术：热压印光刻技术、紫外硬化压印光刻技术、软压印、激 光辅助直接光刻技术。
热压印（HE－NIL）
热压印的工艺包含下列步骤：
①首先，利用电子束直写技术（EBDW）制作一片具有纳米图案的 Si 或 SiO2 模版，
并且准备一片均匀涂布热塑性高分子光刻胶（通常以 PMMA 为主要材料）的硅基板。
②将硅基板上的光刻胶加热到玻璃转换温度（Glass Transfer Temperature）以上，利
用机械力将模版压入高温软化的光刻胶层内，并且维持高温、高压一段时间，使热塑性高分
子光刻胶填充到模版的纳米结构内。
③待光刻胶冷却固化成形之后，释放压力并且将模版脱离硅基板。
④对硅基板进行反应离子刻蚀（Reactive Ion Etching）去除残留的光刻胶，即
可以复制出与模版等比例的纳米图案。
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