微纳结构制备技术主要分为 “自上而下” 与 “自下而上” 两大类，各类技术特点及适用场景如下：

一、微纳结构自上而下制备技术（从宏观材料刻蚀至微纳尺度）

电子束光刻（EBL）：精度达 1nm 以上，通过电子束扫描光刻胶形成图案，分辨率极高，适用于高精度、小批量器件制备，成本较高。

飞秒激光加工技术：精度约 200nm，利用超短脉冲激光局域化加工，可制三维结构，适配复杂形貌及柔性材料。

聚焦离子束光刻（FIB）：精度优于 1nm，以高能离子束移除材料，用于微纳结构精细修饰与修复。

纳米压印技术（NIL）：精度达 20nm，基于机械变形转移图案，分热压、紫外等类型，低成本、高通量，适用于大面积光学器件与柔性电子制备。

经典光刻技术：含湿法光刻、等离子体光刻、深反应离子蚀刻（DRIE）等，精度 10nm-1μm，是传统微纳器件批量生产核心技术。

二、微纳结构自下而上制备技术（从微观单元组装形成结构）

依靠分子间非共价相互作用（范德华力、氢键等）自发成序，无需复杂刻蚀设备：

分子自组装：形成规则结构，可制备纳米薄膜、传感器功能层。

纳米颗粒自组装：借静电作用 / 表面张力形成阵列，用于光子晶体、纳米电极。

生物分子自组装：以 DNA、蛋白质为单元，适用于生物医学检测与药物递送领域。