在量子电子器件的研究方面，我国科学家研究了室温单电子隧穿效应，单原子单电子隧道结，高真空STM，室温库仑阻塞效应和高性能光电探测器以及原子夹层型超微量子器件。清华大学已研制出100nm（0.1µm）级MOS器件，研制出一系列硅微集成传感器、硅微麦克风、硅微马达、集成微型泵等器件，以及基于微纳米三维加工的新技术与新方法的微系统。中国科学院半导体所研制了量子阱红外探测器（13～15mm）和半导体量子点激光器（0.7～2.0mm）。中科院物理所已经研制出可在室温下工作的单电子原型器件。西安交通大学制作了碳纳米管场致发射显示器样机，已连续工作了 3800小时。

在有机高密度信息存储器件的基础研究方面，中国科学院北京真空物理实验室、纳米压印设备中国科学院化学所和北京大学等单位的研究人员，在有机单体薄膜NBPDA上作出点阵，1997年，点径为1.3nm，1998年，点径为0.7nm，2000年，点径为0.6nm，信息点直径较国外报道的研究结果小近一个数量级，是现已实用化的光盘信息存储密度的近百万倍。北京大学采用双组分复合材料TEA/TCNQ作为高密度信息存贮器件材料，得到信息点为8nm的大面积信息点阵3mm×3mm。复旦大学成功制备了高速高密度存贮器用双稳态薄膜，并已经初步选择合成出几种具有自主知识产权的有机单分子材料作为有机纳米集成电路的基础材料。