基本原理：利用光（紫外线、极紫外光等）透过掩膜版（Mask），将电路设计图案投影到涂有光刻胶的硅片上，通过化学反应选择性刻蚀，实现图案转移。

关键流程步骤：

晶圆预处理

清洗硅片表面，去除杂质和颗粒，确保光刻胶均匀附着。

涂覆底涂层（如 HMDS），增强光刻胶与硅片的粘附力。

涂胶

通过旋转涂胶机（Spin Coater）在硅片表面均匀涂覆一层光刻胶（厚度通常为几百纳米至几微米）。

软烘焙（Soft Bake）：加热硅片去除溶剂，固化光刻胶，减少内应力。

曝光

掩膜版对准：将掩膜版（刻有电路图案的石英板，精度达纳米级）与硅片对准。

光线照射：用光刻机发出的光线透过掩膜版，使光刻胶发生化学反应（正性胶曝光后易溶解，负性胶反之）。

关键技术：

极紫外光刻（EUV）：使用波长 13.5nm 的极紫外光，突破传统紫外光的衍射极限，可实现 3nm 以下制程（如台积电、三星的先进工艺）。

纳米压印光刻（NIL）：通过压印模具直接复制图案，成本较低，适用于存储芯片等领域。

显影

用显影液溶解曝光或未曝光的光刻胶，形成与掩膜版对应的图案。

硬烘焙（Hard Bake）：进一步固化光刻胶，增强抗刻蚀能力。

刻蚀与剥离

刻蚀：以光刻胶为掩膜，通过干法刻蚀（等离子体）或湿法刻蚀（化学溶液）将图案转移到硅片表面的材料层（如氧化层、金属层）。

剥离：去除残留的光刻胶，露出最终的电路图案。