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光刻技术（Photolithography） 是一种利用光（如紫外光、极紫外光 EUV 等）作为 “画笔”，在半导体晶圆表面的光敏材料（光刻胶）上 “绘制” 精细图形的工艺。其核心原理类似 “照相洗印”，但精度达到纳米级（1 纳米 = 10⁻⁹米），具体流程如下：
涂胶：在晶圆表面均匀涂抹一层极薄的光刻胶（光敏化学材料）。
曝光：通过刻有电路图案的光掩膜版（Mask），将光束投射到光刻胶上。受光照射的区域（透光或遮光部分）会发生化学反应，形成图案 “潜像”。
显影：用化学试剂溶解曝光后的光刻胶，保留与掩膜版一致的图形。
刻蚀 / 离子注入：以光刻胶图案为 “模板”，对晶圆表面进行刻蚀（去除材料）或离子注入（掺杂杂质），最终在晶圆上形成纳米级电路结构。
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