在光刻加工中，掩膜版（Mask）是用于传递图案信息的关键元件，其材料需具备高透光率、热稳定性、化学惰性和机械强度等特性。以下是常用的掩膜版材料及其特点和应用场景： 一、玻璃基掩膜版材料 1. 熔融石英（Fused Silica） 特性： 透光性：在深紫外（DUV）至极紫外（EUV）波段均有良好透光率（尤其适用于 193 nm、13.5 nm 波长）。 热稳定性：热膨胀系数极低（≈0.5×10⁻⁶/℃），适合高精度光刻（如纳米级制程）。 化学稳定性：耐酸碱腐蚀，不易与光刻胶或蚀刻剂反应。 应用： 高端半导体制造（如 7 nm 以下先进制程）的透射式掩膜版（用于 DUV、EUV 光刻）。 光学显微镜、激光加工等精密光学领域。 2. 苏打石灰玻璃（Soda-Lime Glass） 特性： 成本低：价格远低于熔融石英，但热膨胀系数较高（≈9×10⁻⁶/℃）。 透光性：在可见光波段透光性好，但紫外波段吸收较强。 应用： 低端光刻场景（如 LED 制造、MEMS 传感器）或实验性研发。 非半导体领域（如印刷电路板（PCB）、平面显示面板）的掩膜版。 二、金属基掩膜版材料 1. 铬（Chromium, Cr） 特性： 遮光性：在紫外波段具有高吸收率，常用于在玻璃基板上沉积形成遮光图形。 易加工性：可通过电子束蒸发或溅射成膜，图形精度高（可达亚微米级）。 应用： 传统 DUV 光刻的二元掩膜版（Chromeless Phase Lithography, CPL），即在熔融石英基板上镀 Cr 层，通过刻蚀形成透光 / 遮光图案。 2. 钼硅（Molybdenum-Silicon, MoSi） 特性： 极紫外反射性：在 EUV 波段（13.5 nm）具有高反射率（需搭配多层介质膜）。 热稳定性：耐高温，适合 EUV 光刻中的反射式掩膜版（因 EUV 光无法穿透厚材料，需通过反射成像）。 应用： EUV 光刻的反射式掩膜版，基板为熔融石英，表面镀多层 Mo/Si 膜（约 40 层），用于 7 nm 以下先进制程。