光刻加工是一个多步骤协同的精密过程，每一步骤的精度都会直接影响最终产品质量，典型流程包括以下七个核心环节：

基底预处理：对硅片、玻璃等基底进行清洗、烘干和表面改性，去除表面杂质、油污和氧化物，同时通过涂覆黏附剂增强光刻胶与基底的结合力，避免后续加工中出现光刻胶脱落问题。

光刻胶涂覆：采用旋转涂胶法（最常用）将光刻胶均匀涂覆在基底表面。通过控制旋转速度（通常数千转/分钟）和光刻胶黏度，形成厚度均匀（从几十纳米到数微米）的光刻胶薄膜，涂覆后需进行预烘（软烘）去除光刻胶中的溶剂，增强薄膜稳定性。

对准与曝光：这是光刻加工的核心环节。首先通过精密对准系统将掩模版与基底上已有的图形（或基准标记）精准对齐，对齐精度通常要求达到纳米级；随后启动曝光光源，能量束透过掩模版上的透光区域照射到光刻胶上，引发光化学反应。曝光过程中需严格控制曝光剂量（能量强度×时间），确保光刻胶的化学变化充分且均匀。

后烘处理：曝光后对基底进行加热（后烘），促进光刻胶内部的化学反应完全进行，同时减少曝光过程中产生的应力，提升光刻胶图形的稳定性和抗蚀刻能力。

显影处理：将后烘后的基底浸入显影液中，显影液会选择性溶解光刻胶——对于正性光刻胶，曝光区域的光刻胶会被溶解，未曝光区域保留；对于负性光刻胶则相反。通过控制显影时间和温度，确保光刻胶图形的边缘清晰、无残胶。

坚膜处理：显影后对基底进行高温坚膜，进一步固化光刻胶图形，增强其与基底的结合力和抗后续蚀刻、沉积工艺的能力。

图形转移验证：通过光学显微镜、扫描电子显微镜（SEM）等设备检测光刻胶图形的尺寸、精度和完整性，确保符合设计要求后，进入后续的刻蚀、离子注入等工艺，将图形永久转移到基底材料上。